耐压主流：650V、1200V、1700V，高压可达 3300V；

SiC‑MOSFET 工作频率：几十 kHz~MHz；

封装：TO‑247‑4（4 引脚，减少寄生电感）、HiP247、H2PAK，SiC 功率模块；

典型应用：800V 平台新能源车主逆变、车载 OBC、高压 DC‑DC、光伏储能、高压充电桩、服务器电源、高压 UPS。