IGBT绝缘栅双极型晶体管

    简介:MOS+BJT 复合双极型器件,栅极 MOS 驱动,导通依靠 BJT 电导调制;兼顾 MOS 驱动简单、BJT 高压导通压降小两大优势;关断存在**拖尾电流**,开关速度受限,适合中高压、中大功率、中低频场景。

INFORMATION
  • 耐压等级:600V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V;

  • 工作频率:一般 1‑50kHz,普通 IGBT<20kHz,高速 IGBT 可达 50‑100kHz;

  • 封装:TO‑247 分立、IGBT 功率模块(EconoPACK、PrimePACK 等);

  • 典型应用:变频器、光伏逆变器、储能 PCS、电焊机、新能源汽车初代逆变器、轨道交通、UPS。



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